ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት ኣብ ልዑል-ሙቐት ኦክሳይድ ሃዋህው ምርግጋኡ ንምምሕያሽ ብፍሉይ ዝተሓከመ ዓይነት ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት እዩ። ብሉጽ ናይ ኤሌክትሪክ መተሓላለፊ፣ ልዑል-ተጻዋርነት ሙቐትን ኬሚካላዊ ምርግጋእን ግራፋይት ይዕቅብ ጥራይ ዘይኮነስ፣ ንናይ ኦክሳይድ ተጻዋርነት ብዓቢኡ የመሓይሾ፣ ንነዊሕ-ግዜ ልዑል-ሙቐት ዝሰርሕ ስርሒት ኢንዱስትርያዊ ትርኢታት ምቹእ ይገብሮ።
ናይ ኣፈፃፅማ ባህርያት
- ኣፈጻጽማ ጸረ-ኦክስጅን፡ ኣብ ውሽጢ እቲ ዝተወሰነ ልዑል-ሙቐት፡ እቲ ጸረ-ኦክስጅን ሽፋን ኣብ መንጎ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌትን ኦክስጅን ወይ ኦክስጅን{1}}ዝሓዙ ንጥረ ነገራትን ዘሎ ርክብ ብዓቢኡ ከጉድል ይኽእል፡ እዚ ድማ ዕድመ ኣገልግሎቶም ከናውሖ ይኽእል።
- ምጉዳል ሃልኪ፦ ምጥቃም ኦክሳይድ-ተጻዋርነት ዘለዎም ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት፡ ከከም ቀመር ሽፋን፡ ኩነታት መስርሕን ሃዋህው ስራሕን፡ ንሃልኪ ኤሌክትሮድ ካብ 24% ክሳብ 50% ክቕንስ ይኽእል።
- ብቕዓት ምምሕያሽ፦ ብሰንኪ ምንካይ ሃልኪ ኤሌክትሮድ፡ እቲ ንኦክሳይድ-ተጻዋርነት ዘለዎ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት፡ ንብቕዓት ምፍራይ ንምምሕያሽ ይሕግዝ፡ ኣብ ርእሲኡ ድማ ጉልበትን ሓደጋን ኦፕሬተራት ይቕንስ።
- ምቑጣብ ጸዓትን ምክልኻል ከባብን፡- ቁጽሪ ምትካእ ኤሌክትሮድ ብምንካይን ሃልኪ ሓይሊ ብምንካይን፡ ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት ምስቲ ሕጂ ዘሎ ኣንፈት ምክልኻል ከባቢ ብምስምማዕ፡ ኣብ ምቑጣብ ጸዓትን ምንካይ ልቀትን ኣበርክቶ ይገብር።
ቴክኒካዊ መለክዒታት
|
ምድብ መለክዒ |
ፍሉይ መለክዒ (ኣሃዱ) |
ልሙድ ደረጃ |
|
ቀንዲ ንብረት |
ጽሬት ካርቦን (%) |
99.90–99.97 (ኢንዱስትርያዊ ደረጃ)፤ ካብ 99.99 ዝዓቢ ወይ ማዕረ (Precision Grade) |
|
ጽፍሒ (ግ/ሴ.ሜ3) |
1.85–1.92 |
|
|
ትሕዝቶ ሓሙኽሽቲ (ppm) |
ካብ 150 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (ኢንዱስትርያዊ ደረጃ)፤ ካብ 50 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (Precision Grade) |
|
|
መጠን ንጥረ ነገራት (μm) . |
5–15 (መደበኛ)፤ 3–8 (ረቂቕ እኽሊ) |
|
|
ጸረ-ኦክሳይድ ኣፈጻጽማ |
ዓይነት ሽፋን |
ሲሊኮን ካርባይድ (SiC)/ቦሮሲሊኬት ግላስ/ፎስፌት። |
|
ጸረ-ኦክሳይድ ሙቐት ደረጃ ( ዲግሪ ) . |
800–1400 (SiC ሽፋን)፤ 600–1000 (ብርጭቆ ምልባስ) |
|
|
ደረጃ ኦክሳይድ (g/m2·h) |
ካብ 0.008 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (Air Environment at 1000℃); ትሕቲ ወይ ማዕረ 0.015 (ኢነርት ኣትሞስፈር ኣብ 1200 ዲግሪ ) |
|
|
ናይ ኣገልግሎት ህይወት ምምሕያሽ ብዙሕ |
3–5 ግዜ (ኣንጻር ተራ ግራፋይት ኤሌክትሮድስ) |
|
|
መካኒካዊ ኣፈፃፅማ |
ናይ ምዕጻፍ ሓይሊ (MPa) . |
40–65 |
|
ናይ ምጽቃጥ ሓይሊ (MPa) . |
80–120 |
|
|
ትሪነት ገማግም ባሕሪ (HS) . |
55–80 |
|
|
ተርማል ኣፈፃፅማ |
ዝለዓለ ናይ ስራሕ ሙቐት ( ዲግሪ ) . |
1400–1600 (ምስ መከላኸሊ ሽፋን) |
|
ተርማል ኮንዳክቲቪቲ (W/m·K) |
120–180 (ሙቐት ክፍሊ) |
|
|
ተርማል ሾክ ተጻዋርነት ( ዲግሪ ) . |
ካብ 600 ዝዓቢ ወይ ማዕረ (ፍልልይ ሙቐት) |
|
|
ኣፈፃፅማ ኤሌክትሪክ |
ድምጺ ተጻዋርነት (μΩ·m) |
6–10 |
|
ማሽኒንግ ልክዕነት |
ዳይመንሽናል ተጻዋርነት (ሚ.ሜ) . |
±0.05 (ንውሓት/ስፍሓት)፤ ±0.02 (ርጉድና) |
|
ረግረግ ገጽ (Ra, μm) |
0.4–1.0 |
|
|
ተጻዋርነት ከባቢ |
ኣሲድ ምሕራር ጅምላ ክሳራ (%) . |
ካብ 0.2 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (pH 2–4, 1000h) |
|
ልዑል-ሙቐት ጸረ-ዑደት ኦክሳይድ (h) |
ካብ 3000 ዝዓቢ ወይ ማዕረ (ቀጻሊ ስርሒት ኣብ 1200 ዲግሪ ) |
ፍርያት ብሕታዊ ምምዕርራይ ይድግፉ (ዓይነት ሽፋን፣ ዓቐንን ናይ ኣፈፃፅማ መለክዒታትን ከም ኣድላይነቱ ክስተኻኸሉ ይኽእሉ)
ጸረ-ኦክስጅን ሕክምና ቴክኖሎጂ
- ቴክኖሎጂ ምልባስ ገጽ ምድሪ
(1) ሲሊኮን ካርባይድ ሽፋን -- ኣብ ልዕሊ ገጽ ኤሌክትሮድ SiC መከላኸሊ ንጣብ ይፈጥር፣ ክሳብ 1400 ዲግሪ ዝበጽሕ ናይ ሙቐት ተጻዋርነትን ካብ 3-5 ዕጽፊ ናይ ኦክሳይድ ተጻዋርነትን ኣለዎ። ንልዑል ሙቐት ኦክሳይድ ሃዋህው ከም ኤሌክትሪክ ኣርክ እቶንን ማዕድናዊ ውዑይ እቶንን ዝምችእ እዩ።
(2)ቦሮሲሊኬት ብርጭቆ ሽፋን -- ድሕሪ ልዑል ሙቐት ምቕላጥ፡ ንኦክስጅን ምእታው ንምዕጋት ጽዑቕ ንጣብ ብርጭቆ ይፍጠር። መብዛሕትኡ ግዜ ኣብ ሊትየም ኣኖድ ሲንተርንግ እቶንን ፎቶቮልቴክ ንጽል ክሪስታል እቶንን ይጥቀመሉ።
- ናይ ምጥላቕ ሕክምና
(1)ፎስፌት ምጥሓል -- ንመትሎታት ግራፋይት ይመልእ፣ ናይ ኦክሳይድ ርክብ ቦታ ይንክዮ፣ ክሳብ 1000 ዲግሪ ሙቐት ይጻወር ። (2) ብረት ጨው ምጥላቕ -- ኣብ ልዑል ሙቐት ናይ ኦክሳይድ መከላኸሊ ፊልም ይፍጠር ንናይ ኦክሳይድ ተጻዋርነት ንምዕባይ።
- ምምሕያሽ ንብረት
(1)ኣንቲኦክስጅን ምውሳኽ -- ኣብ ልዑል ሙቐት መከላኸሊ ንጣብ ይፍጠር።
(2)ልዑል-ጽፍሒ ዘለዎ ግራፋይት -- ፖሮሲቲ ይቕንሶን ምእታው ኦክሳይድ የዝሕሎን።
መጻኢ ልምዓታዊ ኣንፈታት
ምስቲ እናዓበየ ዝኸይድ ዘሎ ትኹረት ኣብ ምክልኻል ከባቢን ዝያዳ ጽኑዕ ናይ ጸዓት-ምቑጣብ ጠለባትን፡ ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌትስ ሰፊሕ ናይ ምጥቃም ዓቕሚ የርእዩ ኣለዉ። ንቕድሚት።


ውዑይ መለለዪ: ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ጽላት, ቻይና ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ጽላት ኣፍረይቲ
