ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት

ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት
ዝርዝራት:
ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ጽላት ምስ 99.9%+ ጽሬት, ኣብ መተሓላለፊ/ሙቐታዊ ምትሕልላፍ, ±0.01mm ትኽክለኛነት, ልዑል temp / ምሕራር ይጻወር, ምስ ሜታላርጂ / ኤሌክትሮኒክስ ይሰማማዕ, ምድጋፍ ምምዕርራይ.
MOQ:100pc
ንብረት:ተፈጥሮኣዊ ግራፋይት።
ምሕታት ስደድ
መግለፂ
ምሕታት ስደድ

ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት ኣብ ልዑል-ሙቐት ኦክሳይድ ሃዋህው ምርግጋኡ ንምምሕያሽ ብፍሉይ ዝተሓከመ ዓይነት ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት እዩ። ብሉጽ ናይ ኤሌክትሪክ መተሓላለፊ፣ ልዑል-ተጻዋርነት ሙቐትን ኬሚካላዊ ምርግጋእን ግራፋይት ይዕቅብ ጥራይ ዘይኮነስ፣ ንናይ ኦክሳይድ ተጻዋርነት ብዓቢኡ የመሓይሾ፣ ንነዊሕ-ግዜ ልዑል-ሙቐት ዝሰርሕ ስርሒት ኢንዱስትርያዊ ትርኢታት ምቹእ ይገብሮ።

 

ናይ ኣፈፃፅማ ባህርያት

 

  • ኣፈጻጽማ ጸረ-ኦክስጅን፡ ኣብ ውሽጢ እቲ ዝተወሰነ ልዑል-ሙቐት፡ እቲ ጸረ-ኦክስጅን ሽፋን ኣብ መንጎ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌትን ኦክስጅን ወይ ኦክስጅን{1}}ዝሓዙ ንጥረ ነገራትን ዘሎ ርክብ ብዓቢኡ ከጉድል ይኽእል፡ እዚ ድማ ዕድመ ኣገልግሎቶም ከናውሖ ይኽእል።
  • ምጉዳል ሃልኪ፦ ምጥቃም ኦክሳይድ-ተጻዋርነት ዘለዎም ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት፡ ከከም ቀመር ሽፋን፡ ኩነታት መስርሕን ሃዋህው ስራሕን፡ ንሃልኪ ኤሌክትሮድ ካብ 24% ክሳብ 50% ክቕንስ ይኽእል።
  • ብቕዓት ምምሕያሽ፦ ብሰንኪ ምንካይ ሃልኪ ኤሌክትሮድ፡ እቲ ንኦክሳይድ-ተጻዋርነት ዘለዎ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት፡ ንብቕዓት ምፍራይ ንምምሕያሽ ይሕግዝ፡ ኣብ ርእሲኡ ድማ ጉልበትን ሓደጋን ኦፕሬተራት ይቕንስ።
  • ምቑጣብ ጸዓትን ምክልኻል ከባብን፡- ቁጽሪ ምትካእ ኤሌክትሮድ ብምንካይን ሃልኪ ሓይሊ ብምንካይን፡ ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌት ምስቲ ሕጂ ዘሎ ኣንፈት ምክልኻል ከባቢ ብምስምማዕ፡ ኣብ ምቑጣብ ጸዓትን ምንካይ ልቀትን ኣበርክቶ ይገብር።

ቴክኒካዊ መለክዒታት

 

ምድብ መለክዒ

ፍሉይ መለክዒ (ኣሃዱ)

ልሙድ ደረጃ

ቀንዲ ንብረት

ጽሬት ካርቦን (%)

99.90–99.97 (ኢንዱስትርያዊ ደረጃ)፤ ካብ 99.99 ዝዓቢ ወይ ማዕረ (Precision Grade)

ጽፍሒ (ግ/ሴ.ሜ3)

1.85–1.92

ትሕዝቶ ሓሙኽሽቲ (ppm)

ካብ 150 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (ኢንዱስትርያዊ ደረጃ)፤ ካብ 50 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (Precision Grade)

መጠን ንጥረ ነገራት (μm) .

5–15 (መደበኛ)፤ 3–8 (ረቂቕ እኽሊ)

ጸረ-ኦክሳይድ ኣፈጻጽማ

ዓይነት ሽፋን

ሲሊኮን ካርባይድ (SiC)/ቦሮሲሊኬት ግላስ/ፎስፌት።

ጸረ-ኦክሳይድ ሙቐት ደረጃ ( ዲግሪ ) .

800–1400 (SiC ሽፋን)፤ 600–1000 (ብርጭቆ ምልባስ)

ደረጃ ኦክሳይድ (g/m2·h)

ካብ 0.008 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (Air Environment at 1000℃); ትሕቲ ወይ ማዕረ 0.015 (ኢነርት ኣትሞስፈር ኣብ 1200 ዲግሪ )

ናይ ኣገልግሎት ህይወት ምምሕያሽ ብዙሕ

3–5 ግዜ (ኣንጻር ተራ ግራፋይት ኤሌክትሮድስ)

መካኒካዊ ኣፈፃፅማ

ናይ ምዕጻፍ ሓይሊ (MPa) .

40–65

ናይ ምጽቃጥ ሓይሊ (MPa) .

80–120

ትሪነት ገማግም ባሕሪ (HS) .

55–80

ተርማል ኣፈፃፅማ

ዝለዓለ ናይ ስራሕ ሙቐት ( ዲግሪ ) .

1400–1600 (ምስ መከላኸሊ ሽፋን)

ተርማል ኮንዳክቲቪቲ (W/m·K)

120–180 (ሙቐት ክፍሊ)

ተርማል ሾክ ተጻዋርነት ( ዲግሪ ) .

ካብ 600 ዝዓቢ ወይ ማዕረ (ፍልልይ ሙቐት)

ኣፈፃፅማ ኤሌክትሪክ

ድምጺ ተጻዋርነት (μΩ·m)

6–10

ማሽኒንግ ልክዕነት

ዳይመንሽናል ተጻዋርነት (ሚ.ሜ) .

±0.05 (ንውሓት/ስፍሓት)፤ ±0.02 (ርጉድና)

ረግረግ ገጽ (Ra, μm)

0.4–1.0

ተጻዋርነት ከባቢ

ኣሲድ ምሕራር ጅምላ ክሳራ (%) .

ካብ 0.2 ንታሕቲ ወይ ማዕረ (pH 2–4, 1000h)

ልዑል-ሙቐት ጸረ-ዑደት ኦክሳይድ (h)

ካብ 3000 ዝዓቢ ወይ ማዕረ (ቀጻሊ ስርሒት ኣብ 1200 ዲግሪ )

ፍርያት ብሕታዊ ምምዕርራይ ይድግፉ (ዓይነት ሽፋን፣ ዓቐንን ናይ ኣፈፃፅማ መለክዒታትን ከም ኣድላይነቱ ክስተኻኸሉ ይኽእሉ)

ጸረ-ኦክስጅን ሕክምና ቴክኖሎጂ

 

  • ቴክኖሎጂ ምልባስ ገጽ ምድሪ

(1) ሲሊኮን ካርባይድ ሽፋን -- ኣብ ልዕሊ ገጽ ኤሌክትሮድ SiC መከላኸሊ ንጣብ ይፈጥር፣ ክሳብ 1400 ዲግሪ ዝበጽሕ ናይ ሙቐት ተጻዋርነትን ካብ 3-5 ዕጽፊ ናይ ኦክሳይድ ተጻዋርነትን ኣለዎ። ንልዑል ሙቐት ኦክሳይድ ሃዋህው ከም ኤሌክትሪክ ኣርክ እቶንን ማዕድናዊ ውዑይ እቶንን ዝምችእ እዩ።

(2)ቦሮሲሊኬት ብርጭቆ ሽፋን -- ድሕሪ ልዑል ሙቐት ምቕላጥ፡ ንኦክስጅን ምእታው ንምዕጋት ጽዑቕ ንጣብ ብርጭቆ ይፍጠር። መብዛሕትኡ ግዜ ኣብ ሊትየም ኣኖድ ሲንተርንግ እቶንን ፎቶቮልቴክ ንጽል ክሪስታል እቶንን ይጥቀመሉ።

  • ናይ ምጥላቕ ሕክምና

(1)ፎስፌት ምጥሓል -- ንመትሎታት ግራፋይት ይመልእ፣ ናይ ኦክሳይድ ርክብ ቦታ ይንክዮ፣ ክሳብ 1000 ዲግሪ ሙቐት ይጻወር ። (2) ብረት ጨው ምጥላቕ -- ኣብ ልዑል ሙቐት ናይ ኦክሳይድ መከላኸሊ ፊልም ይፍጠር ንናይ ኦክሳይድ ተጻዋርነት ንምዕባይ።

  • ምምሕያሽ ንብረት

(1)ኣንቲኦክስጅን ምውሳኽ -- ኣብ ልዑል ሙቐት መከላኸሊ ንጣብ ይፍጠር።

(2)ልዑል-ጽፍሒ ዘለዎ ግራፋይት -- ፖሮሲቲ ይቕንሶን ምእታው ኦክሳይድ የዝሕሎን።

 

መጻኢ ልምዓታዊ ኣንፈታት

 

ምስቲ እናዓበየ ዝኸይድ ዘሎ ትኹረት ኣብ ምክልኻል ከባቢን ዝያዳ ጽኑዕ ናይ ጸዓት-ምቑጣብ ጠለባትን፡ ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ፕሌትስ ሰፊሕ ናይ ምጥቃም ዓቕሚ የርእዩ ኣለዉ። ንቕድሚት።

product-800-800
product-800-800

 

ውዑይ መለለዪ: ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ጽላት, ቻይና ጸረ-ኦክሳይድ ግራፋይት ኤሌክትሮድ ጽላት ኣፍረይቲ

ምሕታት ስደድ